沉着应对SiC动态特性差异带来的测试难点

*测不准——碳化硅SiC动态特性导致di/dt加快，电流采样方案需要具备纳秒级的解析度，否则测不准器件的动态特性
*测不全——碳化硅SiC高速开关，测试回路杂感高会带来极高的电压尖峰，在器件工作电压范围内测不全
*可靠性差——测试驱动电路需要具备极强的抗EMI干扰能力，否则易损坏被测器件，导致设备可靠性差

Edison功率模块动态特性测试系统可沉着应对SiC动态特性差异带来的测试难点。创新性层叠母排和电容结构设计，测试主回路杂感低至 6nH（Performance版）。高速、高频、高可靠、高共模瞬变抗扰度（CMTI）使SiC驱动器性能业界领先。使用泰克公司最新推出的新五系高分辨率示波器和专门用于高压差分信号测试的光隔离探头，为三代半导体器件动态特性表征带来更高带宽和更高测试精度。

一站式动态特性测试系统

• 从实验室到生产线的全覆盖

• 从IDM企业到应用企业的全覆盖

• 从Si到SiC的全覆盖

• 从Discrete到不同封装Power Module的全覆盖

高带宽高精度测量仪器

• 系统匹配全球领先TIVP光隔离探头，可提供无与伦比的带宽、动态范围和共模抑制

• 探头电压采样带宽高达1GHz，是传统电压探头带宽5倍以上

• 共模抑制比高达120dB，比传统探头提升1000倍以上

• TIVP光隔离探头能精准捕捉碳化硅器件高速开关时Vgs、Id和Vds的波形细节

超低杂感测试主回路

• 创新性层叠母排和电容结构设计

• 测试主回路杂感低至 10nH

• 最新改进型低至6nH

强悍的短路测试能力

10kA级短路电流测试能力，放心探索产品极限。

实测工况：直流母线电压为800V ，短路脉宽2.8us，开通电阻20Ω，关断电阻20Ω。